L’immagine è da intendersi solo a scopo illustrativo; per favore, guarda le specifiche tecniche nei dettagli del prodotto.

IRF 510 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Ch. 5,6A/100V TO220
Numero.ord: 2487
In magazzino 340 pz
MOQ (Quantità minima ordinabile): 5 pz
Quantità consentite: 1 pz (5, 6, 7 ... pz)
Unità di imballaggio: 50 pz (in tube)
Categoria: Potenza dei transistori a effetto di campo
Informazioni sul prodotto: In magazzino
Produttore (marchio): VISHAY IR
Prezzo IVA escl.
5 pz+ 0,3980 €
10 pz+ 0,3030 €
50 pz+ 0,2740 €
250 pz+ 0,2520 €
1000 pz+ 0,2240 €
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IRF 510 PBF
Transistor MOSFET N-Ch. 5,6A/100V TO220

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Specifiche

Produttore (marchio) VISHAY IR
Type Power
Polarity MOSFET N
Power 43 W
Case TO220AB
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Gate-Source Breakdown Voltage ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm / 3,4A / 10V
Continuous Drain Current 5,6A
On/Off Time (Max) 6,9ns/15ns
On Resistance Max. 540 mOhm
Operating Voltage 100 V
Output Current A 5,6 A
Note n/a
Series n/a
RoHS

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