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IRF 510 PBF | VISHAY IR

Transistor MOSFET N-Ch. 5,6A/100V TO220
Numero.ord: 2487
In magazzino 100 pz
In sospeso:
(Stiamo controllando la data di consegna: 100 pz)
MOQ (Quantità minima ordinabile): 5 pz
Quantità consentite: 1 pz (5, 6, 7 ... pz)
Unità di imballaggio: 50 pz (in tube)
Categoria: Potenza dei transistori a effetto di campo
Informazioni sul prodotto: In magazzino
Produttore (marchio): VISHAY IR
Prezzo IVA escl.
5 pz+ 0,3980 €
10 pz+ 0,3030 €
50 pz+ 0,2690 €
350 pz+ 0,2390 €
1300 pz+ 0,2280 €
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I prezzi sono IVA esclusa. I prezzi degli articoli che non sono custoditi nel nostro magazzino, possono essere diversi da quelli indicati. Garantiamo i prezzi solo per la quantità disponibili in magazzino.
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IRF 510 PBF
Transistor MOSFET N-Ch. 5,6A/100V TO220

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Specifiche

Produttore (marchio) VISHAY IR
Tipo Power
Polarity MOSFET N
Power 43 W
Case TO220AB
Mounting Type THT
Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Gate-Source Breakdown Voltage -20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm / 3,4A / 10V
Continuous Drain Current 5,6A
On/Off Time (Max) 6,9ns/15ns
On Resistance Max. 540 mOhm
Operating Voltage 100 V
Corrente di uscita 5,6 A
Nota n/a
Serie n/a
RoHS

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